【營業秘密】LTN經濟通》中國DRAM崛起 背後都是這國？
2026/01/07 07:06 自由財經
長鑫吸納三星退休工程師
2025年12月，南韓多家主流媒體披露，首爾中央地方檢察廳以違反《不當競爭防止暨營業秘密保護法》與《產業技術保護法》為由，起訴10名前三星電子員工，指控其將DRAM關鍵技術外洩給中國記憶體製造商長鑫存儲（CXMT）。涉案人士涵蓋多名開發負責人與核心工程師，其中甚至包括三星前高層、現任長鑫研發主管，震撼韓國半導體圈。
檢方調查指出，長鑫在吸收多名三星退休工程師後，正式啟動DRAM研發計畫，並在過程中透過合作廠商取得部分SK海力士製程相關資訊。在同時掌握韓國兩大記憶體廠的技術經驗後，長鑫最終於2023年實現10奈米級DRAM量產，成為中國首家、全球第四家跨入該門檻的企業。
南韓檢方估算，僅2024年，三星電子因技術外洩造成的市占流失與價格壓力，銷售額便減少約5兆韓元，若納入對整體產業與經濟信心的衝擊，總損失恐高達數十兆韓元。更令外界關注的是，部分涉案人士已在中國長期滯留，即使遭南韓註銷護照並發布國際刑警紅色通緝，中方仍持續延長其居留資格，凸顯技術與地緣政治交織的複雜現實。
中國記憶體產業成長 處處可見韓國工程師影子
事實上，這起事件並非單一企業的資安漏洞，而是中國DRAM產業成長軌跡的縮影。10奈米級DRAM不只是設計能力的展現，更包含製程參數、良率控制與量產經驗的長期積累，這正是三星多年建立、被視為國家核心技術的關鍵資產。諷刺的是，當中國高喊「自主可控」時，其記憶體產業的成長，卻處處可見韓國工程師的技術影子。
2025年11月，長鑫發布DDR5與LPDDR5X新產品，韓媒《Business Korea》直言，中韓在通用DRAM的技術差距已縮小至不到一年，對韓系大廠在中國市場的營收構成實質威脅。長鑫更不諱言，其產品將成為「降低對海外公司依賴的替代方案」。
中國對DRAM的高度投入，來自於國家安全與龐大內需的雙重壓力。隨著數據中心、AI與雲端應用快速擴張，過度依賴進口記憶體將帶來成本與供應風險。自2010年代起，中國政府以補助、稅賦優惠與基礎設施支持，推動記憶體產業發展，並透過海外挖角、技術合作與市場保護，加速縮短技術落差。
中國擅長吸收外部經驗 快速建立產能
然而，長鑫並非孤例。從福建晉華、紫光、華為，都是早期大規模吸納海外人才，中國半導體發展始終採取「吸收外部經驗、快速建立產能」的路徑。即便如此，核心專利、先進設備與關鍵製程仍高度仰賴國際供應鏈，一旦地緣政治或出口管制升級，其產業可持續性仍存變數。
整體而言，中國記憶體的崛起，既是韓國技術外溢的結果，也預示全球半導體版圖正在重塑。未來十年，中國能否真正從「追趕者」轉為「領導者」，關鍵不只在政策與資金，更在是否能建立真正屬於自己的技術體系與人才循環。
<資料來源：自由財經。https://ec.ltn.com.tw/article/breakingnews/5300859>